有關日商Resonac成功開發300毫米碳化矽基板，單片晶片產出量可達現行產品4倍事

依據日本經濟新聞本(2026)年9月28日報導，日商Resonac Holdings成功在日本國內率先開發直徑300毫米（12吋）碳化矽（SiC）單晶基板，在相同製程下，每片可取得的半導體晶片數量為目前主流150毫米（6吋）基板的4倍。隨人工智慧（AI）資料中心需求擴大，大尺寸SiC基板可望提升功率半導體的能源效率並降低量產成本，Resonac亦藉此投入與美國及中國業者的大尺寸SiC基板開發競爭。

Resonac目前主要生產150毫米SiC基板，供應汽車零組件廠商，以及ROHM等自行生產晶圓的半導體元件廠。SiC基板為製造半導體的基礎結晶板，也是供應功率半導體廠商之SiC磊晶晶圓的核心部分。Resonac在SiC基板對外銷售市場的市占率已超越美國Wolfspeed，居全球首位。

隨全球資料中心需求增加，市場對SiC晶圓的需求亦持續升高。相較傳統矽材料，SiC具有較高的電力效率，並可減少發熱造成的能源損失。日本調查公司富士經濟預估，全球功率半導體用的晶圓市場規模至2035年將擴大至9,118億日圓，約為2025年的3倍，其中SiC晶圓占比可望提高至近7成。

惟大尺寸化仍是SiC基板發展的重要課題。目前300毫米晶圓按面積計算已占矽晶圓市場約7成，並成為半導體製造主流，但300毫米SiC基板尚未實現商業化。主要原因在於SiC磊晶晶圓製程中的晶體成長需要超過攝氏2,000度的高溫，較容易產生晶體缺陷。此外，其原料晶錠硬度高，要均勻切割並研磨成平坦基板，也需要較高的加工技術。

目前300毫米SiC基板開發仍由美國及中國業者領先。中國山東天岳先進科技（SICC）於2024年11月率先開發相關SiC基板，美國Wolfspeed亦於2026年1月成功製造300毫米SiC單晶基板，惟目前尚無業者正式進入大規模商業化階段。

Resonac表示，該公司在既有SiC基板開發及量產過程中，累積重新結晶時的精密溫度控制，以及抑制可能造成基板翹曲或破裂等加工技術，並將相關經驗與技術運用於此次300毫米產品開發。

300毫米SiC基板要實現商業化，除功率半導體製造商須投入大規模設備投資外，供應商亦須建立能夠穩定量產低缺陷基板的生產體系，才能充分發揮降低成本的效益。因此，Resonac現階段將先持續強化由150毫米向200毫米移轉的生產能力，同時依客戶需求評估300毫米產品的市場前景。

該公司社長高橋秀仁表示，300毫米SiC基板市場目前尚未形成明確的競爭格局，若未來客戶確有需求，且公司可望取得先行者優勢，將考慮進一步投資。Resonac於2026年1至6月的核心營業利益為888億日圓，其中逾9成來自半導體及電子材料事業。目前公司主要獲利來源仍為封裝材料及高散熱材料等半導體後段製程材料。另一方面，公司亦供應前段製程使用的高純度氣體及高性能研磨材料，並持續強化位於前段製程起點的晶圓製造技術。

日本國內分析人士指出，若Resonac能進一步提升晶圓製造領域的技術能力，將可在更廣泛的半導體製程中協助客戶解決技術問題，產生較大的事業綜效。隨AI需求持續擴大，功率半導體市場仍具成長空間，300毫米SiC基板的商業化進展亦將成為美、中、日相關業者後續競爭的重要領域。(資料來源：經濟部國際貿易署)