日本政府將斥資千億日圓於北海道建置最尖端半導體研發據點，以期加速追趕2奈米以下技術

據日本經濟產業省本（2025）年12月12日發布新聞稿，經產大臣赤澤亮正於同日內閣會議後記者會上宣布，將以本土晶片製造商Rapidus設廠為契機，透過經產省轄下的產業技術綜合研究所，在半導體產業聚集地北海道千歲市，建置一處最尖端半導體研發據點。

該據點將採開放式架構，重點任務為從事2奈米世代以後的半導體試作與相關技術的研發，預計2029年度正式開始運作，除規劃提供包括Rapidus等半導體企業，以及從事製造設備和零部件、材料的供應商、大學等業界、學術界利用外，將與海外企業、研究機構等進行合作，以期全面推動最尖端半導體技術的創新與發展。

至於資金方面，經產省計劃從2025年度預算與追加預算中，先行撥出約1,000億日圓資金用於該研發據點的建置，後續也將視實際進度與需求，適時編列並爭取追加預算。另，赤澤大臣強調一旦本次臨時國會通過追加預算，該省將立即著手導入包含次世代EUV曝光設備在內的關鍵製造設備，為未來的研究奠定基礎。(資料來源：經濟部國際貿易署)