三星電子在橫濱啟用半導體研發基地,總投資額達400億日圓
(115/09/10 10:48:11)

有關韓國三星電子在橫濱啟用半導體研發基地,日本政府補助225億日圓以深化日韓合作及強化供應鏈韌性事。

綜整日本經濟新聞及NHK新聞本(2026)年9月8日報導,韓國三星電子於同(8)日在橫濱市港灣未來區(Minato Mirai)舉行先進半導體後段製程研發基地「APL(Advanced Package Lab)」的開幕典禮,並邀請東京威力科創(Tokyo Electron)及揖斐電(Ibiden)等15家日本主要供應商共襄盛舉。

該基地占地約6,600平方公尺,總投資額達400億日圓,其中225億日圓由日本政府資助。未來預計由日韓兩國共95位研究人員組成跨國團隊,結合三星電子現有的半導體設計與製造技術,以及日本企業在材料與設備的優勢,共同研發後段製程材料與量產技術。

三星電子說明過去將日本企業的材料運往韓國研發基地約需耗時2個月;如今在橫濱設立據點,不僅能大幅提升研發效率,亦便於延攬當地優秀人才,並就近與周邊日商深化合作。在全球AI半導體競爭日益白熱化,以及日本政府迫切強化國內半導體供應鏈韌性的背景下,積極促成本次日韓產業的深度合作。(資料來源:經濟部國際貿易署)