中國產記憶體刻正以低價攻勢追趕韓國

依據韓媒《每日經濟》本年4月9日報導，中國記憶體大廠憑價格優勢及充足產能，在全球半導體市占率快速提升，並趁三星電子及SK海力士集中生產AI半導體之際，填補通用型記憶體(General-purpose Memory)供應缺口。

韓媒引用香港《南華早報》半導體專家分析，中國半導體製造商在同規格產品上具15%以上價格競爭力，產品品質亦快速提升，客戶選擇中國產品已不單係成本考量，且中國企業並具有其他廠商欠缺之供貨量，預估未來市占率將進一步擴大。

此外，中國半導體廠刻正致力擴大產能，長江存儲(YMTC)預計於下半年在武漢新增最新型快閃記憶體(NAND)產線，預估年出貨量將達200萬片，成為繼日本鎧俠(Kioxia)及三星電子後，全球第3大NAND製造商。全球第4大DRAM企業長鑫存儲(CXMT)則規劃投入75億人民幣(約16.1億美元)提升記憶體晶圓量產技術，積極搶攻高頻寬記憶體(HBM)市場，期望於本年達成量產HBM3(第4代HBM)目標。

受供應短缺影響，記憶體價格預計持續走高。依據市調機構TrendForce數據，本年第2季DRAM價格漲幅最高達63%，NAND價格漲幅則達75%。YMTC及CXMT營業額亦連創新高。YMTC營收自2021年17.7億美元增長至2024年56.4億美元，去(2025)年預估突破110億美元；CXMT去年營收則預計超過80億美元，相較2024年25.7億美元成長約3倍。(資料來源：經濟部國際貿易署)