紐約州NanoFab Reflection封頂,將為High NA EUV技術中心
(114/12/10 11:07:53)

紐約州投資10億美元NanoFab Reflection研究設施舉行封頂儀式

紐約州政府公告,州長Kathy Hochul宣布斥資10億美元研究設施NanoFab Reflection正式封頂,係奧爾巴尼奈米科技綜合園區(Albany NanoTech Complex)核心項目,標誌紐約州作為美國半導體產業領導者重要里程碑,將成為全美首座公有高數值孔徑極紫外光微影(High NA EUV Lithography)技術中心,具全球最先進晶片研發能力。

前開計畫將支持數百個新高科技就業,帶動90 億美元私人投資,推動擴大與大學、勞動力培訓和全球半導體企業合作。封頂儀式標誌NanoFab Reflection最後一根鋼樑安裝完成,彰顯計畫建設如期推進,預計明(2026)年底竣工。該設施佔地 31 萬平方英尺,包含 5萬平方英尺先進無塵室,將配置荷蘭艾司摩爾(ASML)高數值孔徑極紫外光光刻設備,以製造更強大、更快速晶片滿足運算需求,同時提高晶片能源效率。

紐約州擁有全美發展最快半導體產業生態系,超過1,240億美元新產業投資,包括美光科技、格羅方德,以及愛德華真空、TTM、Menlo Micro與AMD等半導體供應鏈業者,刻推動更多晶片研發和製造業務回流美國,有助保障供應鏈安全、提升國家安全並維持競爭力。(資料來源:經濟部國際貿易署)